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据盖世汽车Seeds报道，第三代半导体氮化镓外延企业晶湛半导体于12月8日宣布，完成C+轮数亿元融资，这是晶湛公司继2022年完成2轮数亿元融资以来的又一融资进展。

本轮增资由尚颀资本及上汽集团战略直投基金、蔚来资本联合领投，汇誉投资、新尚资本、联行资产、合肥建投资本、米哈游、京铭资本等机构跟投，老股东安徽和壮继续加码。值得注意的是，这已是蔚来资本继去年12月领投数亿元C轮融资后，又一次领投晶湛半导体。

据官方资料显示，晶湛半导体是，长期专注于高质量GaN材料的研发和产业化。目前，其已申请专利超过700项、授权近200项，并已建成GaN外延材料研发和生产基地。

而本轮融资所得资金将用于产能扩充、进一步加大在新产品和新技术领域的科技创新研发，提升产品多样性与丰富，从而摆脱进口依赖，实现GaN材料的安全可控。

GaN，即氮化镓是第三代半导体材料，具有耐高温、耐高压、高频和高功率等优异特性，被认为是目前最具发展潜力的半导体材料之一，在新能源汽车领域具有广阔应用前景。

以高速成长的新能源汽车应用为例，可以实现更快的开关速度、更高的转换效率、更轻小的系统尺寸和重量的GaN车载电力电子系统应用将满足车体轻量化、系统高效化和长程续航等核心需求。

除此以外，包括日益增长的数据交换及AI算力需求所带来的数据中心电源高效节能的需求、电动汽车自动驾驶带来的激光雷达需求、车载信息娱乐系统(IVI)以及新型高效车用头灯、车载抬头显示、透明显示等需求都离不开高品质GaN材料的支撑。

其中，外延材料位于GaN产业链的上游，决定了器件的性能和成本。

聚焦晶湛半导体，其创始人程凯博士是硅基氮化镓外延技术的开拓者。该公司也是全球最早，也是最头部的氮化镓外延技术企业之一，且是目前国际上唯一可供应300mm硅基氮化镓外延产品的厂商。

早在2014年底，晶湛半导体就率先在全球首次发布商用8英寸硅基氮化镓外延片产品，填补了国内氮化镓产业的空白；2021年9月，又成功全球首发12英寸硅基电力电子氮化镓外延片；2022年11月，晶湛半导体总部大楼建设项目封顶，该项目预期建成后，将成为国内规模最大的氮化镓电力电子材料和微显示材料生产基地。

在此背景下，晶湛半导体创始人、总裁程凯博士表示，“本次融资代表了资本市场对晶湛发展与实力的充分认可和信任，今后晶湛将继续加大研发和技术投入，保持公司在行业内的竞争优势，加速推进GaN材料在汽车电子等领域的应用。”

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