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市场观察人士认为三星电子有望在2022年末加入200层以上3DNAND闪存的竞争

2022-06-14 15:12:14    来源:C114通信网    阅读量:19147   

3D 200层栈的游戏正在加速内存厂商美光此前提出,业界首款232层堆栈3D NAND闪存将于2022年底前率先量产

据DigiTimes报道,最近几天,市场传言称,长江存储将跳过原有的192层技术,直接挑战232层NAND,并于2022年底量产。

据报道,内存相关产业指出,由此,长江存储有望赶超三星电子,侠义等其他NAND厂商,并将在2023年逐步扩大232层NAND产能比例,为全球NAND产业竞争投下一枚重磅炸弹。

本站了解到,长江存储已经推出了128层3D NAND闪存,此前有报道称,长江存储已经向一些客户交付了其自主开发的192层3D NAND闪存的样品。

此外,市场观察人士认为,三星电子有望在2022年末加入200层以上3D NAND闪存的竞争。

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