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美光科技公司今天宣布，其拥有全球最先进技术节点的1β DRAM产品已经开始向一些智能手机制造商和芯片平台合作伙伴发送样品进行验证，并准备量产美光在低功耗LPDDR5X移动存储器上率先采用了这种新一代工艺技术，最高速度可达8.5Gb秒这种节点在性能，密度和能效方面都有显著提升，将为市场带来巨大收益除了移动应用，基于1β节点的DRAM产品还具有低延迟，低功耗，高性能的特点，可以支持智能汽车，数据中心等应用所需的快速响应，实时服务，个性化和沉浸式体验

继2021年基于1α节点的产品批量出货后，美光推出了全球最先进的1β节点DRAM，进一步巩固了市场领先地位1β技术可以提高能效15%左右，存储密度提高35%以上，单个管芯容量高达16Gb

美光科技与产品执行副总裁Scott DeBoer表示，1β DRAM产品结合了美光专有的多重曝光光刻技术，领先的工艺技术和先进的材料能力，标志着存储器创新的又一次飞跃全球领先的1β DRAM工艺技术带来了前所未有的内存密度，为智能边缘和云应用迎接新一代数据密集型，智能化和低功耗技术奠定了基础

此前，美光在今年7月出货了全球首款232层NAND，为存储解决方案带来了前所未有的性能和面积密度由于美光在尖端R&D和工艺技术方面的深厚基础，这两项行业发布表明美光将继续在内存和存储创新领域引领市场

1β制程技术可以实现比以前更低的每比特功耗，为智能手机提供了市面上最节能的内存技术这将有助于智能手机制造商推出电池寿命更长的设备——对于消费者来说，在使用高能耗和数据密集型应用程序时延长电池寿命至关重要

全新的JEDEC增强型动态电压和频率调节扩展核心技术使基于1β的LPDDR5X更加节能在高达3200 Mbps的双频层上添加eDVFSC可以提高节能控制，从而在独特的终端用户模式基础上实现更低的功耗

广美通过先进的光刻技术和纳米制造技术挑战物理定律。

Optical业界领先的1β节点可以在更小的尺寸内实现更高的存储容量，从而降低单位数据成本DRAM的可扩展性很大程度上取决于在每平方毫米的半导体晶片面积上集成更多更快的存储器的能力，这需要减小电路面积以在指甲大小的芯片上容纳数十亿个存储单元几十年来，伴随着工艺节点的不断进步，半导体行业每年或每两年都会缩小器件尺寸可是，伴随着芯片越来越小，需要挑战物理定律来定义晶圆上的电路图案

为了克服这些技术挑战，半导体工业开始使用具有极紫外光刻技术的新设备可是，这项技术仍处于早期发展阶段为了规避技术风险，美光采用了其成熟的尖端纳米制造和光刻技术凭借该公司专有的先进多重曝光技术和浸没式光刻技术，图案可以以最高的精度形成在微小的尺寸上减小设备尺寸以提供更大的容量也将使得诸如智能手机和物联网设备的较小设备能够在紧凑的空间中集成更大的存储器

为了在1β和1α节点获得竞争优势，美光在过去几年中还积极推广其制造卓越性，工程能力和开拓性研发创新的加速使美光比竞争对手提前一年率先量产1α节点技术，从而在公司历史上首次确立了在DRAM和NAND领域的领先地位多年来，美光进一步投资数十亿美元，将晶圆厂改造成一个具有高度自动化，可持续性和人工智能驱动的先进工厂其中包括投资日本广岛，美光将在那里量产基于1β节点的DRAM产品

1 Node β为无处不在的互联可持续世界打下坚实基础。

伴随着机器对机器通信，人工智能和机器学习等高能耗应用的兴起，节能技术对企业越来越重要，尤其是那些希望满足严格的可持续发展目标和降低运营费用的企业研究人员发现，训练单个人工智能模型产生的碳排放量是一辆美国汽车整个生命周期的5倍此外，到2030年，信息和通信技术预计将消耗全球20%的电力

互联世界需要快速，无处不在和节能的内存产品来推动数字化，优化和自动化，美光的1β DRAM节点为此提供了全面的基础基于1β节点的DRAM产品具有高密度，低功耗的特点，可以在数据密集型智能设备，系统和应用之间实现更节能的数据流，为智能边缘和云应用提供更强的智能特性未来一年，美光将在嵌入式，数据中心，客户端，消费产品，工业和汽车等其他应用领域量产1β节点，并推出包括显示内存和高带宽内存在内的产品