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最近几天，中科院微电子所在非晶铟镓锌氧化物晶体管领域取得重要进展。

据报道，α—IGZO被认为是高密度3D集成的最佳候选通道材料之一三维集成技术的本质是提高一个芯片上晶体管的集成密度因此，对于与后期工艺兼容的a—IGZO晶体管，探索最终的尺寸缩小是实现高密度三维集成的关键

为了解决上述问题，微电子所重点实验室的研究人员通过宏观电学测试和微观表征技术，研究了a—IGZO晶体管尺寸缩小时基本特性的变化通过缩小栅介质的等效氧化物厚度和半导体厚度，提高了器件的栅控能力，进一步优化了金属—半导体接触，降低了器件的接触电阻此外，使用具有更强栅控能力的双栅互连结构和操作模式来实现具有优异性能的双栅a—IGZO短沟道晶体管

此外，基于该成果的文章入选2022 VLSI和demon session。